삼성전자가 내년 상반기에 반도체 위탁생산 시설인 파운드리에서 차세대 트랜지스터 구조인 '게이트올어라운드(GAA)' 즉 GAA 기반의 3나노미터 반도체 양산에 들어간다고 공개했습니다.
삼성전자의 최시영 파운드리 사업부장은 온라인으로 열린 '삼성 파운드리 포럼 2021' 기조연설에서 내년 상반기에 GAA 기술을 적용한 3나노 1세대, 2023년에 3나노 2세대 양산을 시작한다고 말했습니다.
GAA는 기존 핀펫 기술보다 칩 면적은 줄이고 소비전력은 감소시키면서 성능은 높인 신기술입니다.
세계 최대 파운드리 기업인 타이완의 TSMC와 미세공정을 두고 기술경쟁을 벌이는 가운데 삼성이 먼저 세계 최초로 3나노 양산 계획을 밝힌 것입니다.
YTN 이광엽 (kyuplee@ytn.co.kr)
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